技嘉bios內(nèi)存設(shè)置，技嘉主板內(nèi)存頻率怎么調(diào)

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本文目錄一覽

• 1，技嘉主板內(nèi)存頻率怎么調(diào)
• 2，技嘉主板怎么調(diào)內(nèi)存
• 3，怎么用BIOS設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟

1，技嘉主板內(nèi)存頻率怎么調(diào)

進(jìn)入主板BIOS設(shè)置里面調(diào)，一般只能調(diào)節(jié)xmp，內(nèi)存時鐘調(diào)整。ps 自我感覺調(diào)和不調(diào)，一點(diǎn)點(diǎn)感受不到內(nèi)存速度的提升，還可能因為調(diào)整這些出現(xiàn)藍(lán)屏等等代碼需要重新重啟電腦，現(xiàn)在我電腦也就使用出廠設(shè)置的自動調(diào)節(jié)。。

2，技嘉主板怎么調(diào)內(nèi)存

你好！你說的是內(nèi)存超頻吧！不同主板，有不同的超頻方法，一是內(nèi)存同步調(diào)整CPU外頻和內(nèi)存頻率高出CPU外頻。將CPU外頻提高了，內(nèi)存也超頻使用；內(nèi)存頻率在高出或低于系統(tǒng)總線速度時，進(jìn)入主板BIOS中，“Advanced Chipset Features”選項把內(nèi)存電壓調(diào)高，內(nèi)存的頻率就能提升。

進(jìn)入BIOS，可以通過開機(jī)按“F7”鍵或“Del”鍵。切換到“Chipset”選項卡。進(jìn)入“North Bridge”選項。進(jìn)入“Intel IGD Configuration”。將“DVMT Pre-Allocated”項目修改成所需要的大小，比如128M或256M。保存并退出BIOS，重啟機(jī)器

內(nèi)存怎么好調(diào)，內(nèi)存不好超頻的，除非你是降頻。

3，怎么用BIOS設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟

BIOS 設(shè)置內(nèi)存 ? 你說的是 把667設(shè)置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字樣 然后下調(diào) 條到 533 或 400

SDRAM CAS Latency Time（內(nèi)存CAS延遲時間） 可選項：2，3。內(nèi)存CAS（Column Address Strobe，列地址選通脈沖）延遲時間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下，品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運(yùn)行，在CAS=2下運(yùn)行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，Intel認(rèn)為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認(rèn)為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴(yán)格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內(nèi)存。SDRAM Cycle Time Tras/Trc（內(nèi)存Tras/Trc時鐘周期）可選項：5/7，7/9。該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時間（Row Active Time），它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時間（Row Cycle Time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。SDRAM RAS-TO-CAS Delay（內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖（RAS，Row Address Strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進(jìn)行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。（^23030501a^）　　SDRAM RAS Precharge Time（內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預(yù)充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)

步驟很少 但是選項和定義很多 建議你自己研究主板說明書

本文標(biāo)題：技嘉bios內(nèi)存設(shè)置，技嘉主板內(nèi)存頻率怎么調(diào)
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