飽和管壓降uces怎么求Uces怎么求？-創(chuàng)新互聯(lián)

Uces怎么求？Uces，即臨界飽和電壓，不計(jì)算，而是三極管的基本參數(shù)之一（類似于HFE狀態(tài)），將在型號(hào)規(guī)格中介紹。一般來說，低功率晶體管相對(duì)較小，為0.6-1v電平，而高功率晶體管約為2-3v。什么是晶體管的飽和管壓降，一般用什么表示？怎么求？

判斷三極管狀態(tài)的最簡單方法是查看集電極電位。如果集電極電位大約等于電源電壓，它就會(huì)被切斷。如果它大約等于飽和電壓降uces，它就是飽和的。在這兩個(gè)電壓之間是線性放大區(qū)。如果接近這兩個(gè)電壓之間的中心位置，線性度就越好。Uces是集電極-發(fā)射極飽和壓降，是指三極管處于飽和狀態(tài)時(shí)集電極和發(fā)射極之間的電壓。飽和后，無論基極電流如何變化，電壓變化都很小。

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1.三極管的飽和電壓由實(shí)際測試確定。讓它流過指定的電流，給定指定的基極電流。2三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，又稱雙極晶體管、晶體三極管，是一種電流控制半導(dǎo)體器件。它的功能是將微弱的信號(hào)放大成較大幅度的電信號(hào)，也可用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管是半導(dǎo)體的基本元件之一，具有電流放大功能，是電子電路的核心元件。三極管是在半導(dǎo)體襯底上形成兩個(gè)彼此非常接近的PN結(jié)。兩個(gè)PN結(jié)將整個(gè)半導(dǎo)體分成三部分。中間部分是基極區(qū)，兩側(cè)是發(fā)射區(qū)和集電極區(qū)。有兩種安排：PNP和NPN。

模擬電子技術(shù)中的，三極管，飽和管壓降Uces是指什么概念？

從理論上講，飽和管的電壓降是放大區(qū)和飽和區(qū)的邊界。低功率晶體管約為0.7V，高功率晶體管可達(dá)2-3v，工程上飽和與放大的界限還很模糊。對(duì)于小功率晶體管，當(dāng)uce=1V時(shí)，逐漸進(jìn)入飽和區(qū)。uce越小，飽和度越深。當(dāng)涉及到uces時(shí)，它將完全飽和，但飽和程度可以繼續(xù)加深。小功率晶體管高可達(dá)uce=0.3V左右。此時(shí)，可以說已經(jīng)深度飽和。Uces在功率放大電路的計(jì)算中特別有用。它可以計(jì)算功率晶體管本身的管耗，進(jìn)而計(jì)算效率。同時(shí)回答問題。uces計(jì)算的是放大區(qū)的大基極電流，但對(duì)于飽和區(qū)，該電流不是大基極電流。

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