半導體廢水處理集成了一個沉沒池，I和II級接觸氧化池，一個二級沉淀池和一個污泥池。鼓風曝氣在I和II接觸氧化池中進行，接觸氧化法和活性污泥法有效結合，兩者的優(yōu)點得到了克服，二者的缺點得以克服，從而達到了水平。半導體廢水處理進一步改善。

半導體廢水處理的優(yōu)點

1、承受沖擊載荷的能力強，接觸氧化法的平均停留時間超過6小時。

2、半導體廢水處理具有除氮除磷能力，并可調整設備結構，實現工業(yè)廢水，生活廢水，城市廢水處理能力。

3、接觸氧化池中的填料多為軟質填料，重量輕，強度高，物理化學性質穩(wěn)定，比表面積大，生物膜附著力強，污水接觸效率高和生物膜。

4、在接觸氧化槽中，采用曝氣機進行鼓風曝氣，使纖維束連續(xù)浮動，曝氣均勻，微生物生長成熟，得到活性污泥法的特點。

5、出水水質穩(wěn)定，污泥產量小，易于處理。

6、潛水泵可安裝在設備中，以減少工程投資。

7、半導體廢水處理可以位于地面上或埋在地下。埋在地下時，上蓋可用于綠化，植物面積小，地面結構小。

8、易于完成自動控制，管理和操作簡單。

9、半導體廢水處理可以連接到汽車，使移動設備。

上述就是半導體廢水處理的主要優(yōu)點，希望對大家有所幫助。

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