在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，通過(guò)一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片，然后將所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝和電性測(cè)試，并最終形成終端產(chǎn)品。目前，在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水。今天，小編就給大家介紹下芯片生產(chǎn)廢水處理工藝的步驟吧。

芯片生產(chǎn)廢水處理工藝方法，操作步驟：

步驟1：廢水的數(shù)值PH值為4~6狀態(tài)下，使用片狀石灰鈣固定塊，孔徑為0.3-0.5，作為吸附物的載體，并在上述片狀石灰鈣固定塊覆蓋固定網(wǎng)。

步驟2：在池內(nèi)加入中和劑和混凝劑，再次測(cè)試PH值如果為達(dá)到4，將輔助混凝劑導(dǎo)入池內(nèi)，再導(dǎo)入冷凝效應(yīng)器中，完成混凝后以厭氧狀態(tài)將其導(dǎo)出。

步驟3進(jìn)行快速凝聚反應(yīng)，其中輔凝劑加入后靜置2小時(shí)。

步驟4：將廢水噴射到蒸發(fā)器的中進(jìn)行蒸發(fā)處理，廢水全部脫水為氣態(tài)，蒸發(fā)時(shí)間為12～16h，蒸發(fā)溫度為180～220℃。

步驟5：導(dǎo)入蒸發(fā)器中得廢水濃度為允許上限PH在4，一旦達(dá)到停止繼續(xù)放入廢水。

步驟6：廢氣導(dǎo)入冷凝塔，噴淋霧狀中和劑，中和劑溫度在10℃~12℃。

步驟7：完成冷凝，剩余的廢氣進(jìn)入等離子反應(yīng)器中進(jìn)行電離處理。

步驟8:冷凝塔抽取的反應(yīng)水，導(dǎo)入最終反應(yīng)池中，導(dǎo)入廢水處理劑，該廢水處理劑包括凈水劑聚合氯化鋁共聚物和芬頓試劑;以廢水處理劑的總重量為基準(zhǔn)，所述聚合氯化鋁共聚物共聚物的含量為50-70wt%。

上述就是芯片生產(chǎn)廢水處理工藝方法的介紹，想了解更多行業(yè)技術(shù)，關(guān)注我，每天都有新資訊更新！

文章標(biāo)題：芯片生產(chǎn)廢水處理工藝步驟是什么呢？
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