反滲透設(shè)備常見問題解析

11、反滲透能脫除微生物如病毒和細(xì)菌嗎?

答:反滲透(RO)非常致密,對病毒、噬菌體和細(xì)菌具有非常高的脫除率, 至少在 3log 以上(脫除率>99.9%)。但是還須注意的是,在很多情況下,膜 產(chǎn)水側(cè)仍可能會出現(xiàn)微生物再次滋生,這主要取決于裝配、監(jiān)測和維護(hù)的 方式,就是說,某一個(gè)系統(tǒng)的脫除微生物的能力關(guān)鍵取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)、操 作和管理是否恰當(dāng)而不是膜元件本身的性質(zhì)。

12、溫度對產(chǎn)水量有何影響?

答:溫度越高,產(chǎn)水量越高,反之亦然,在較高的溫度條件下運(yùn)行時(shí),應(yīng) 調(diào)低運(yùn)行壓力,使產(chǎn)水量保持不變,反之亦然。

13、什么是顆粒和膠體污染?如何測定?

答:反滲透或納濾系統(tǒng)一旦出現(xiàn)顆粒和膠體的污堵就會嚴(yán)重影響膜的產(chǎn)水 量,有時(shí)也會降低脫鹽率。膠體污堵的早期癥狀是系統(tǒng)壓差的增加,膜進(jìn) 水水源中顆粒或膠體的來源因地而異,常常包括細(xì)菌、淤泥、膠體硅、鐵 腐蝕產(chǎn)物等,預(yù)處理部分所用的藥品如聚合鋁和三氯化鐵或陽離子聚電介 質(zhì),如果不能在澄清池或介質(zhì)過濾器中有效的除去,也可能引起污堵;此 外陽離子性的聚電介質(zhì)也會與陰離子性的阻垢劑反應(yīng),其沉淀物會污堵膜 元件,水中這類污堵傾向或預(yù)處理是否合格采用 SDI15 進(jìn)行評價(jià)。

14、不作系統(tǒng)沖洗,最長允許停機(jī)多久?

答:如果系統(tǒng)使用阻后劑,當(dāng)水溫在 20~38℃之間,大約 4 小時(shí);在 20℃ 以下時(shí),大約 8 小時(shí);如果系統(tǒng)未用阻垢劑,約 1 天。

15、怎樣才能使膜系統(tǒng)的能耗降低?

答:采用低能耗膜元件即可,但應(yīng)注意到它們的脫鹽率比標(biāo)準(zhǔn)膜元件略低。

16、反滲透純水系統(tǒng)能否頻繁的啟停?

答:膜系統(tǒng)是按連續(xù)運(yùn)行作為設(shè)計(jì)基準(zhǔn)的,但在實(shí)際操作時(shí),總會有一定 頻度的開機(jī)和停機(jī);當(dāng)膜系統(tǒng)停機(jī)時(shí),必須用其產(chǎn)水或經(jīng)過預(yù)處理合格的 水進(jìn)行低壓沖洗,從膜元件中置換掉高濃度但含阻垢劑的濃水;還應(yīng)采取 措施預(yù)防系統(tǒng)內(nèi)水漏掉而引入空氣,因?yàn)樵傻舻脑挘赡軙a(chǎn)生 不可逆的產(chǎn)水通量損失;如果停機(jī)小于 24 小時(shí),則無需采取預(yù)防微生物滋 生的措施;但停機(jī)時(shí)間超過上述規(guī)定,應(yīng)采用保護(hù)液作系統(tǒng)保存或定時(shí)沖 洗膜系統(tǒng)。

17、膜元件上安裝鹽水密封圈其方向怎樣確定?

答:要求膜元件上的鹽水密封圈裝在元件進(jìn)水端,同時(shí)開口面向進(jìn)水方向, 當(dāng)給壓力容器進(jìn)水時(shí),其開口(唇邊)將進(jìn)一步張開,完全封住進(jìn)水從膜元 件與壓力容器內(nèi)壁間的旁流。

19、怎樣從水中脫除硅?

答:水中硅以兩種形態(tài)存在,活性硅(單體硅)和膠體硅(多元硅):膠體硅 沒有離子的特征,但尺度相對較大,膠體硅能被精細(xì)的物理過濾過程所截 留,如反滲透,也可以通過凝聚技術(shù)降低水中的含量,如混凝澄清池,但 是那些需要依靠離子電荷特征的分離技術(shù),如離子交換樹脂和連續(xù)電去離 子過程(CDI),對脫除膠體硅效果十分有限;活性硅的尺寸比膠體硅小得多, 這樣大多數(shù)的物理過濾技術(shù)如混凝澄清、過濾和氣浮等均無法脫除活性硅, 能夠有效脫除活性硅的過程是反滲透、離子交換和連續(xù)電去離子過程。

20、pH 對脫除率、產(chǎn)水量和膜壽命有何影響?

答:反滲透膜產(chǎn)品對應(yīng) pH 范圍,一般為 2~11,pH 對膜性能本身的影響很 小,這是與其它膜產(chǎn)品不同的顯著特點(diǎn)之一,但是水中許多離子本身的特 性受 pH 的影響巨大,例如當(dāng)檸檬酸等類的弱酸在低 pH 條件下,主要呈非 離子態(tài),而在高 pH 值下出現(xiàn)解離而呈離子態(tài);由于同一離子,荷電程度高, 膜的脫除率高,荷電程度低或不荷電,則膜的脫除率低,因此 pH 對某些雜

質(zhì)的脫除率影響十分巨大

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